NTMS10P02R2G

NTMS10P02R2G
Увеличить

Только для справки

номер части NTMS10P02R2G
LIXINC Part # NTMS10P02R2G
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NTMS10P02R2G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTMS10P02R2G Технические характеристики

номер части:NTMS10P02R2G
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:8.8A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:14mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:1.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:70 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3640 pF @ 16 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):1.6W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-SOIC
упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQA9N50 FQA9N50 MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P 933

Подробнее о заказе

SI1416EDH-T1-GE3 SI1416EDH-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 35115

Подробнее о заказе

PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 926

Подробнее о заказе

AUIRFZ44N AUIRFZ44N AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL 2334

Подробнее о заказе

SIHF12N60E-GE3 SIHF12N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 12A TO220 1907

Подробнее о заказе

AOB284L AOB284L MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO263 991

Подробнее о заказе

RM120N85T2 RM120N85T2 MOSFET N-CH 85V 120A TO220-3 922

Подробнее о заказе

IRFS3006-7PPBF IRFS3006-7PPBF HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET 11552

Подробнее о заказе

NDC632P NDC632P MOSFET P-CH 20V 2.7A SUPERSOT6 837

Подробнее о заказе

TK5Q60W,S1VQ TK5Q60W,S1VQ MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK 878

Подробнее о заказе

DMT8012LK3-13 DMT8012LK3-13 MOSFET N-CH 80V 44A TO252 3415

Подробнее о заказе

SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 3287

Подробнее о заказе

HUF76009D3ST HUF76009D3ST MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA 13293

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10938 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.69000$1.69
2500$0.74214$1855.35
5000$0.70503$3525.15
12500$0.67853$8481.625

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top