Только для справки
| номер части | NTMS10P02R2G |
| LIXINC Part # | NTMS10P02R2G |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | NTMS10P02R2G След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | NTMS10P02R2G |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 8.8A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 2.5V, 4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 14mOhm @ 10A, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1.2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 70 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±12V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3640 pF @ 16 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1.6W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-SOIC |
| упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| FQA9N50 | MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P | 933 Подробнее о заказе |
|
| SI1416EDH-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 | 35115 Подробнее о заказе |
|
| PSMN075-100MSEX | MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 | 926 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFZ44N | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | 2334 Подробнее о заказе |
|
| SIHF12N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | 1907 Подробнее о заказе |
|
| AOB284L | MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO263 | 991 Подробнее о заказе |
|
| RM120N85T2 | MOSFET N-CH 85V 120A TO220-3 | 922 Подробнее о заказе |
|
| IRFS3006-7PPBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 11552 Подробнее о заказе |
|
| NDC632P | MOSFET P-CH 20V 2.7A SUPERSOT6 | 837 Подробнее о заказе |
|
| TK5Q60W,S1VQ | MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK | 878 Подробнее о заказе |
|
| DMT8012LK3-13 | MOSFET N-CH 80V 44A TO252 | 3415 Подробнее о заказе |
|
| SIA418DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6 | 3287 Подробнее о заказе |
|
| HUF76009D3ST | MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA | 13293 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10938 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.69000 | $1.69 |
| 2500 | $0.74214 | $1855.35 |
| 5000 | $0.70503 | $3525.15 |
| 12500 | $0.67853 | $8481.625 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.