Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSP149H6327XTSA1
LIXINC Part # BSP149H6327XTSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSP149H6327XTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSP149H6327XTSA1 Технические характеристики

номер части:BSP149H6327XTSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:SIPMOS®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:660mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):0V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:1V @ 400µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:430 pF @ 25 V
Фет-функция:Depletion Mode
рассеиваемая мощность (макс.):1.8W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223-4
упаковка / чехол:TO-261-4, TO-261AA

BSP149H6327XTSA1 Документы

if BSP149H6327XTSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSS123K-TP BSS123K-TP MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 34888

Подробнее о заказе
BSD214SNH6327 BSD214SNH6327 BSD314 - 250V-600V SMALL SIGNAL/ 9811

Подробнее о заказе
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 MOSFET N-CH 250V 120A TO247 31709

Подробнее о заказе
SI4408DY-T1-GE3 SI4408DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 14A 8SO 845

Подробнее о заказе
NTD4806N-35G NTD4806N-35G MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK 47035

Подробнее о заказе
FDB42AN15A0 FDB42AN15A0 MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB 1425

Подробнее о заказе
RD3H160SPFRATL RD3H160SPFRATL MOSFET P-CH 45V 16A TO252 3014

Подробнее о заказе
IPB70N10S3L12ATMA1 IPB70N10S3L12ATMA1 MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3 7790

Подробнее о заказе
STS10N3LH5 STS10N3LH5 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO 2695

Подробнее о заказе
IPD60R800CEATMA1 IPD60R800CEATMA1 MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3 862

Подробнее о заказе
FQP5P20 FQP5P20 MOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3 10037

Подробнее о заказе
SPD03N50C3ATMA1 SPD03N50C3ATMA1 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 8010

Подробнее о заказе
IRFSL7734PBF IRFSL7734PBF IRFSL7734 - 12V-300V N-CHANNEL P 2031

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 18742 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.24000$1.24
1000$0.65439$654.39
2000$0.61526$1230.52
5000$0.58787$2939.35
10000$0.56832$5683.2

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top