IPT60R022S7XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IPT60R022S7XTMA1 | IPT60R022S7XTMA1 Inventory, Best Pricing

IPT60R022S7XTMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPT60R022S7XTMA1
LIXINC Part #	IPT60R022S7XTMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPT60R022S7XTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPT60R022S7XTMA1 Технические характеристики

номер части:	IPT60R022S7XTMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™S7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	23A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	12V
rds on (max) @ id, vgs:	22mOhm @ 23A, 12V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 1.44mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 12 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5639 pF @ 300 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	390W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-HSOF-8-2
упаковка / чехол:	8-PowerSFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$13.67000	$13.67

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015