RW1C015UNT2R | ROHM Semiconductor RW1C015UNT2R | RW1C015UNT2R Inventory, Best Pricing

RW1C015UNT2R

Увеличить

Только для справки

номер части	RW1C015UNT2R
LIXINC Part #	RW1C015UNT2R
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RW1C015UNT2R След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RW1C015UNT2R Технические характеристики

номер части:	RW1C015UNT2R
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	1.8 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	110 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	400mW (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-WEMT
упаковка / чехол:	SOT-563, SOT-666

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.17545	$0.17545
8000	$0.17545	$1403.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015