Только для справки
| номер части | FDB8832 |
| LIXINC Part # | FDB8832 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDB8832 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDB8832 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 34A (Ta), 80A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.9mOhm @ 80A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 265 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 11400 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 300W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-263AB |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| STWA88N65M5 | MOSFET N-CH 650V 84A TO247 | 1213 Подробнее о заказе |
|
| FCPF400N80ZL1 | MOSFET N-CH 800V 11A TO220F | 17933 Подробнее о заказе |
|
| FQA24N50 | 24A, 500V, 0.2OHM, N-CHANNEL, M | 29248 Подробнее о заказе |
|
| SPD08N50C3ATMA1 | MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3 | 1582 Подробнее о заказе |
|
| BUK654R6-55C,127 | PFET, 100A I(D), 55V, 0.008OHM, | 837 Подробнее о заказе |
|
| STD30NF06LAG | MOSFET N-CH 60V 28A DPAK | 889 Подробнее о заказе |
|
| SIHB33N60ET1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 | 1618 Подробнее о заказе |
|
| IPB65R420CFDATMA1 | MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK | 924 Подробнее о заказе |
|
| AOTF7N70 | MOSFET N-CH 700V 7A TO220-3F | 990 Подробнее о заказе |
|
| BUK9M15-40HX | MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33 | 5698 Подробнее о заказе |
|
| FDBL86066-F085 | MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF | 819 Подробнее о заказе |
|
| IRLU2905PBF | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | 2296 Подробнее о заказе |
|
| IPB80R290C3AATMA1 | IPB80R290 - 600V-800V N-CHANNEL | 827 Подробнее о заказе |
| В наличии | 13740 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.32000 | $3.32 |
| 800 | $1.94897 | $1559.176 |
| 1600 | $1.81904 | $2910.464 |
| 2400 | $1.72809 | $4147.416 |
| 5600 | $1.66312 | $9313.472 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.