Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC882N03MSGATMA1

BSC882N03MSGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC882N03MSGATMA1
LIXINC Part # BSC882N03MSGATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC882N03MSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC882N03MSGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC882N03MSGATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):34 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:22A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:55 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4.3 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC882N03MSGATMA1 Документы

if BSC882N03MSGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TN0104N3-G TN0104N3-G MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3 1192

Подробнее о заказе
IRFP4668PBF IRFP4668PBF MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC 806

Подробнее о заказе
FQB7P20TM FQB7P20TM MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK 2254

Подробнее о заказе
FQI4N20TU FQI4N20TU MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK 5883

Подробнее о заказе
RQ6C065BCTCR RQ6C065BCTCR MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 850

Подробнее о заказе
APT60N60SCSG/TR APT60N60SCSG/TR MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 884

Подробнее о заказе
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 MOSFET N-CH 600V 30A TO3P 3958

Подробнее о заказе
NVTFS4823NWFTWG NVTFS4823NWFTWG MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN 5985

Подробнее о заказе
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP 9120

Подробнее о заказе
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP 6872

Подробнее о заказе
FCD360N65S3R0 FCD360N65S3R0 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK 2689

Подробнее о заказе
FDFME2P823ZT FDFME2P823ZT 2.6A, 20V, P-CHANNEL MOSFET 40850

Подробнее о заказе
IMW120R350M1HXKSA1 IMW120R350M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3 1032

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 35894 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.51000$0.51

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top