BSC034N03LSGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC034N03LSGATMA1 | BSC034N03LSGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC034N03LSGATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSC034N03LSGATMA1
LIXINC Part #	BSC034N03LSGATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSC034N03LSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSC034N03LSGATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSC034N03LSGATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	22A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4300 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 57W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-5
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

NTTFS5C670NLTWG	MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN	948 Подробнее о заказе
RQ5E040RPTL	MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3	2636 Подробнее о заказе
IPB45N06S409ATMA1	MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3	13043 Подробнее о заказе
IRFZ44PBF	MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB	6804 Подробнее о заказе
SPP21N50C3XKSA1	MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3	1292 Подробнее о заказе
STF100N6F7	MOSFET N-CH 60V 46A TO220FP	1631 Подробнее о заказе
FDME910PZT	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	33754 Подробнее о заказе
SPB18P06PGATMA1	MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK	999 Подробнее о заказе
STF7LN80K5	MOSFET N-CH 800V 5A TO220FP	969 Подробнее о заказе
RCD050N20TL	MOSFET N-CH 200V 5A CPT3	858 Подробнее о заказе
NVTA7002NT1G	MOSFET N-CH 30V 154MA SC75	856 Подробнее о заказе
IXFK21N100Q	MOSFET N-CH 1000V 21A TO264AA	980 Подробнее о заказе
IRF9230	200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA	12411 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015