Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD26N06S2L35ATMA1

IPD26N06S2L35ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD26N06S2L35ATMA1
LIXINC Part # IPD26N06S2L35ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD26N06S2L35ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD26N06S2L35ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD26N06S2L35ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:35mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 26µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:621 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):68W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD26N06S2L35ATMA1 Документы

if IPD26N06S2L35ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMG1012UW-7 DMG1012UW-7 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 214857

Подробнее о заказе
NTB6N60T4 NTB6N60T4 N-CHANNEL POWER MOSFET 7267

Подробнее о заказе
NVF3055L108T1G NVF3055L108T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 20221

Подробнее о заказе
STH410N4F7-2AG STH410N4F7-2AG MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2 801

Подробнее о заказе
MCH3414-TL-E MCH3414-TL-E N-CHANNEL SILICON MOSFET 99849

Подробнее о заказе
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP 1714

Подробнее о заказе
IPB80N06S2L09ATMA2 IPB80N06S2L09ATMA2 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 989

Подробнее о заказе
SI3400A-TP SI3400A-TP MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 856

Подробнее о заказе
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK 937

Подробнее о заказе
NVMFS5C430NLAFT1G NVMFS5C430NLAFT1G MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN 828

Подробнее о заказе
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN 849

Подробнее о заказе
2SK1400A-E 2SK1400A-E N-CHANNEL POWER MOSFET 1128

Подробнее о заказе
SPB80N03S2L-05 SPB80N03S2L-05 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3 136712

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10951 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.22000$0.22

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top