Только для справки
| номер части | FDFS2P102A |
| LIXINC Part # | FDFS2P102A |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDFS2P102A След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDFS2P102A |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 3.3A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 125mOhm @ 3.3A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 3 nC @ 5 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 182 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | Schottky Diode (Isolated) |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 900mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-SOIC |
| упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| IRFR120NTRRPBF | MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK | 885 Подробнее о заказе |
|
| IPB60R299CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 923 Подробнее о заказе |
|
| SIHF540S-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 929 Подробнее о заказе |
|
| FDS6673BZ-F085 | MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC | 924 Подробнее о заказе |
|
| IPP100N04S2L03AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | 13822 Подробнее о заказе |
|
| FDP33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3 | 2102 Подробнее о заказе |
|
| SI2300-TP | MOSFET N-CH 20V 4.5A SOT23 | 5024 Подробнее о заказе |
|
| STW56N65M2-4 | MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L | 861 Подробнее о заказе |
|
| TBB1004DMTL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 42916 Подробнее о заказе |
|
| IRFR1N60APBF-BE3 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK | 3900 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFS3607TRL | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 9730 Подробнее о заказе |
|
| SI3430DV-T1-BE3 | MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP | 3804 Подробнее о заказе |
|
| SI2301CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | 1000 Подробнее о заказе |
| В наличии | 194651 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.00000 | $1 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.