IPB80N06S405ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPB80N06S405ATMA2 | IPB80N06S405ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S405ATMA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB80N06S405ATMA2
LIXINC Part #	IPB80N06S405ATMA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB80N06S405ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB80N06S405ATMA2 Технические характеристики

номер части:	IPB80N06S405ATMA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 60µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	81 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	6500 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	107W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTTFS4C05NTAG	MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN	929 Подробнее о заказе
IAUT200N08S5N023ATMA1	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF	2440 Подробнее о заказе
PSMN1R8-30BL,118	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	831 Подробнее о заказе
PMF780SN,115	MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3	120808 Подробнее о заказе
IPB60R045P7ATMA1	MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2	816 Подробнее о заказе
IRFU220PBF	MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA	3495 Подробнее о заказе
2SJ254	P-CHANNEL POWER MOSFET	18713 Подробнее о заказе
IRLU3110ZPBF	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK	968 Подробнее о заказе
IRFU110PBF	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA	7196 Подробнее о заказе
NTD5802NT4G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1751 Подробнее о заказе
DMP3008SFGQ-13	MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8	1254 Подробнее о заказе
AO4425	MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC	108679 Подробнее о заказе
AUIRFS4115	MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK	4838 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.95322	$0.95322
1000	$0.88069	$880.69

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015