STQ1NK80ZR-AP

STQ1NK80ZR-AP
Увеличить

Только для справки

номер части STQ1NK80ZR-AP
LIXINC Part # STQ1NK80ZR-AP
Производитель STMicroelectronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD STQ1NK80ZR-AP След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STQ1NK80ZR-AP Технические характеристики

номер части:STQ1NK80ZR-AP
Бренд:STMicroelectronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:STMicroelectronics
ряд:SuperMESH™
упаковка:Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:300mA (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:16Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 50µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7.7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:160 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:TO-92-3
упаковка / чехол:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDD6N25TM FDD6N25TM MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK 979110966

Подробнее о заказе

AOW4S60 AOW4S60 MOSFET N-CH 600V 4A TO262 811

Подробнее о заказе

SQM60N06-15_GE3 SQM60N06-15_GE3 MOSFET N-CH 60V 56A TO263 1036

Подробнее о заказе

IPB90N06S4L04ATMA1 IPB90N06S4L04ATMA1 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 975

Подробнее о заказе

IPW65R125C7XKSA1 IPW65R125C7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 2009

Подробнее о заказе

IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF 2952

Подробнее о заказе

BUZ42 BUZ42 N-CHANNEL POWER MOSFET 2230

Подробнее о заказе

FCU7N60TU FCU7N60TU MOSFET N-CH 600V 7A IPAK 851

Подробнее о заказе

RCJ120N25TL RCJ120N25TL MOSFET N-CH 250V 12A LPT 1738

Подробнее о заказе

HUF75852G3 HUF75852G3 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 14855

Подробнее о заказе

APT20M18B2VFRG APT20M18B2VFRG MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX 946

Подробнее о заказе

SIHB22N60ET5-GE3 SIHB22N60ET5-GE3 MOSFET N-CH 600V 21A TO263 804

Подробнее о заказе

TN2106K1-G TN2106K1-G MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB 10429

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 22689 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.78000$0.78
2000$0.30959$619.18
6000$0.29051$1743.06
10000$0.28097$2809.7

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top