Только для справки
| номер части | HUFA75639S3ST |
| LIXINC Part # | HUFA75639S3ST |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL, |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | HUFA75639S3ST След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | HUFA75639S3ST |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 56A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 25mOhm @ 56A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 130 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 200W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RSR020P05TL | MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3 | 3052 Подробнее о заказе |
|
| IRFB4310PBF | MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB | 4849 Подробнее о заказе |
|
| DMT6009LCT | MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB | 1615 Подробнее о заказе |
|
| PMG85XP125 | P-CHANNEL MOSFET | 855 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN10A09KTC | MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3 | 252713457 Подробнее о заказе |
|
| IPD088N06N3GBTMA1 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 953 Подробнее о заказе |
|
| CSD18501Q5A | MOSFET N-CH 40V 22A/100A 8VSON | 53472 Подробнее о заказе |
|
| IPW65R110CFDFKSA1 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 | 1227 Подробнее о заказе |
|
| BUK9Y7R2-60E,115 | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 | 1249 Подробнее о заказе |
|
| IAUS300N08S5N012ATMA1 | IAUS300N08 - 75V-120V N-CHANNEL | 822 Подробнее о заказе |
|
| FDD8882 | MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA | 985 Подробнее о заказе |
|
| IPDD60R080G7XTMA1 | MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10 | 2791 Подробнее о заказе |
|
| RM6N800IP | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251 | 853 Подробнее о заказе |
| В наличии | 35094 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.36000 | $1.36 |
| 800 | $1.36000 | $1088 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.