BSC0500NSIATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC0500NSIATMA1 | BSC0500NSIATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC0500NSIATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSC0500NSIATMA1
LIXINC Part #	BSC0500NSIATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSC0500NSIATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSC0500NSIATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSC0500NSIATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	35A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3300 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-6
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

SIHP17N80AEF-GE3	E SERIES POWER MOSFET WITH FAST	930 Подробнее о заказе
IPA60R099C6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP	21443 Подробнее о заказе
IRF7811AVTRPBF	SMALL SIGNAL FIELDCHANNEL, SILIC	28613 Подробнее о заказе
BUK6Y10-30PX	MOSFET P-CH 30V 80A LFPAK56	1839 Подробнее о заказе
SI1403BDL-T1-E3	MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6	5295 Подробнее о заказе
APT14M100S	MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK	880 Подробнее о заказе
IPB180N08S402ATMA1	MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7	8881 Подробнее о заказе
SQJQ466E-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8	3112 Подробнее о заказе
94-3316	MOSFET N-CH 55V 2A SOT223	809 Подробнее о заказе
AOB254L	MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263	993 Подробнее о заказе
PMN30XPX	MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP	3816 Подробнее о заказе
SIHF12N50C-E3	MOSFET N-CH 500V 12A TO220	1849 Подробнее о заказе
FDS8817NZ	MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC	1848 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015