Только для справки
| номер части | STB11NM80T4 |
| LIXINC Part # | STB11NM80T4 |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | STB11NM80T4 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | STB11NM80T4 |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| ряд: | MDmesh™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 11A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 400mOhm @ 5.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 43.6 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1630 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 150W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D2PAK |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RUF025N02TL | MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3 | 9681 Подробнее о заказе |
|
| STD3NK80ZT4 | MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK | 2244 Подробнее о заказе |
|
| BUK9214-30A,118 | MOSFET N-CH 30V 63A DPAK | 10116 Подробнее о заказе |
|
| NTMS4939NR2G | MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC | 201062 Подробнее о заказе |
|
| PSMN1R5-40YSDX | MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56 | 2329 Подробнее о заказе |
|
| PSMN7R8-120ESQ | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 | 1381 Подробнее о заказе |
|
| STW7N95K3 | MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3 | 1458 Подробнее о заказе |
|
| STP28N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | 1993 Подробнее о заказе |
|
| FQPF3P20 | MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F | 4956 Подробнее о заказе |
|
| SI5424DC-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 | 9995 Подробнее о заказе |
|
| IPB240N03S4LR8ATMA1928 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5958 Подробнее о заказе |
|
| RQ6L020SPTCR | MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6 | 2104 Подробнее о заказе |
|
| SI7464DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8 | 3487 Подробнее о заказе |
| В наличии | 14897 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $6.87000 | $6.87 |
| 1000 | $4.39688 | $4396.88 |
| 2000 | $4.25250 | $8505 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.