DMTH8012LPSQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Увеличить

Только для справки

номер части	DMTH8012LPSQ-13
LIXINC Part #	DMTH8012LPSQ-13
Производитель	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DMTH8012LPSQ-13 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DMTH8012LPSQ-13 Технические характеристики

номер части:	DMTH8012LPSQ-13
Бренд:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Ta), 72A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	17mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	46.8 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2051 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.6W (Ta), 136W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerDI5060-8
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015