IPD15N06S2L64ATMA1

IPD15N06S2L64ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD15N06S2L64ATMA1
LIXINC Part # IPD15N06S2L64ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD15N06S2L64ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD15N06S2L64ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD15N06S2L64ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:19A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:64mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 14µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:354 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):47W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

APT8014L2FLLG APT8014L2FLLG MOSFET N-CH 800V 52A 264 MAX 860

Подробнее о заказе

AOD600A70R AOD600A70R MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252 3429

Подробнее о заказе

BUK6E2R3-40C,127 BUK6E2R3-40C,127 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 845

Подробнее о заказе

FDS5690 FDS5690 MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC 7842

Подробнее о заказе

NDD60N550U1T4G NDD60N550U1T4G MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK 88106

Подробнее о заказе

RSU002P03T106 RSU002P03T106 MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3 13921

Подробнее о заказе

NTMYS014N06CLTWG NTMYS014N06CLTWG MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK 290012852

Подробнее о заказе

DMP3015LSSQ-13 DMP3015LSSQ-13 MOSFET P-CH 30V 13A 8SO 819

Подробнее о заказе

PMCM650VNE023 PMCM650VNE023 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 928

Подробнее о заказе

IRL1404PBF-INF IRL1404PBF-INF MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB 7709

Подробнее о заказе

FDB8870 FDB8870 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 62454

Подробнее о заказе

IPAW60R180P7SXKSA1 IPAW60R180P7SXKSA1 MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 1625

Подробнее о заказе

AOI21357 AOI21357 MOSFET P-CH 30V 23A/70A TO251A 10173

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13378 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.23000$0.23

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top