Только для справки
| номер части | FDY302NZ |
| LIXINC Part # | FDY302NZ |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDY302NZ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDY302NZ |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 600mA (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 1.8V, 4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 300mOhm @ 600mA, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 1.1 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±12V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 60 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 625mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SC-89-3 |
| упаковка / чехол: | SC-89, SOT-490 |
| IPW60R045P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41 | 941 Подробнее о заказе |
|
| SUD15N15-95-BE3 | MOSFET N-CH 150V 15A DPAK | 2760 Подробнее о заказе |
|
| IXTA180N10T7 | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 | 923 Подробнее о заказе |
|
| PSMN035-150P,127 | MOSFET N-CH 150V 50A TO220AB | 837 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFS3306TRL | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 1498 Подробнее о заказе |
|
| FDD850N10LD | MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4 | 5849 Подробнее о заказе |
|
| H5N2512FN-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3509 Подробнее о заказе |
|
| IRFR024NTRPBF | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK | 884 Подробнее о заказе |
|
| FQU12N20TU | MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK | 21753 Подробнее о заказе |
|
| STB42N65M5 | MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK | 6760 Подробнее о заказе |
|
| C2M1000170J-TR | SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7 | 868 Подробнее о заказе |
|
| DMN10H700S-7 | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23 | 9731 Подробнее о заказе |
|
| STL12N65M5 | MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT | 843 Подробнее о заказе |
| В наличии | 28217 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.42000 | $0.42 |
| 3000 | $0.07969 | $239.07 |
| 6000 | $0.07173 | $430.38 |
| 15000 | $0.06376 | $956.4 |
| 30000 | $0.05978 | $1793.4 |
| 75000 | $0.05299 | $3974.25 |
| 150000 | $0.05101 | $7651.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.