IPB80P04P4L06ATMA1

IPB80P04P4L06ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80P04P4L06ATMA1
LIXINC Part # IPB80P04P4L06ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80P04P4L06ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80P04P4L06ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB80P04P4L06ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:104 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6580 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):88W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXFK32N100X IXFK32N100X MOSFET N-CH 1000V 32A TO264 26600

Подробнее о заказе

APT5014BLLG APT5014BLLG MOSFET N-CH 500V 35A TO247 986

Подробнее о заказе

STL140N4F7AG STL140N4F7AG MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT 1996

Подробнее о заказе

IXTA180N10T IXTA180N10T MOSFET N-CH 100V 180A TO263 827

Подробнее о заказе

SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 2449

Подробнее о заказе

BUK7511-55B,127 BUK7511-55B,127 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB 3108

Подробнее о заказе

AOTF15S60L AOTF15S60L MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3F 860

Подробнее о заказе

DMP3018SFK-13 DMP3018SFK-13 MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN 964

Подробнее о заказе

BUK9606-75B,118 BUK9606-75B,118 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 1184

Подробнее о заказе

SQM50P04-09L_GE3 SQM50P04-09L_GE3 MOSFET P-CHANNEL 40V 50A TO263 1535

Подробнее о заказе

SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3 2680

Подробнее о заказе

FQP9P25 FQP9P25 MOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3 940

Подробнее о заказе

HUF76419D3 HUF76419D3 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK 7909

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10874 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.93240$0.9324
1000$0.93240$932.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top