IPB80N06S4L07ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPB80N06S4L07ATMA2 | IPB80N06S4L07ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S4L07ATMA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB80N06S4L07ATMA2
LIXINC Part #	IPB80N06S4L07ATMA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB80N06S4L07ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB80N06S4L07ATMA2 Технические характеристики

номер части:	IPB80N06S4L07ATMA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	6.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 40µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	75 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5680 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	79W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHW47N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD	1200 Подробнее о заказе
SQJ872EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8	19839 Подробнее о заказе
APT10050LVFRG	MOSFET N-CH 1000V 21A TO264	971 Подробнее о заказе
FDC642P-F085	MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6	6112 Подробнее о заказе
IPI084N06L3GXKSA1	MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3	120313 Подробнее о заказе
FQU2N90TU-WS	MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK	9255 Подробнее о заказе
BFL4004	MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FI	11703 Подробнее о заказе
BSZ040N04LSGATMA1	MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON	56286 Подробнее о заказе
IPL60R065C7AUMA1	MOSFET HIGH POWER_NEW	3971 Подробнее о заказе
PSMN038-100K,518	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	32052 Подробнее о заказе
IMW65R072M1HXKSA1	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH	1188 Подробнее о заказе
BUK7640-100A,118	MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK	1004 Подробнее о заказе
TPHR6503PL,L1Q	MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP	13333 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.81358	$0.81358
1000	$0.74767	$747.67

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015