NVMFS5C430NAFT3G

NVMFS5C430NAFT3G
Увеличить

Только для справки

номер части NVMFS5C430NAFT3G
LIXINC Part # NVMFS5C430NAFT3G
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NVMFS5C430NAFT3G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFS5C430NAFT3G Технические характеристики

номер части:NVMFS5C430NAFT3G
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:35A (Ta), 185A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:47 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3300 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.8W (Ta), 106W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN, 5 Leads

Продукты, которые могут вас заинтересовать

2SK3054-T1-A 2SK3054-T1-A MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP 12882

Подробнее о заказе

NTTFS4C13NTAG NTTFS4C13NTAG MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN 9445

Подробнее о заказе

NTD4854NT4G NTD4854NT4G MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A DPAK 52316

Подробнее о заказе

IRFBE20PBF IRFBE20PBF MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB 3678

Подробнее о заказе

IPB65R150CFDAATMA1 IPB65R150CFDAATMA1 MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK 1860

Подробнее о заказе

IXTQ22N50P IXTQ22N50P MOSFET N-CH 500V 22A TO3P 899

Подробнее о заказе

FCHD040N65S3-F155 FCHD040N65S3-F155 MOSFET N-CH 650V 65A TO247 6058995

Подробнее о заказе

SQ2361AEES-T1_BE3 SQ2361AEES-T1_BE3 MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3 1175

Подробнее о заказе

STW12N120K5 STW12N120K5 MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 1429

Подробнее о заказе

STP15N65M5 STP15N65M5 MOSFET N CH 650V 11A TO220 1897

Подробнее о заказе

NTMFS5H630NLT1G NTMFS5H630NLT1G MOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN 893

Подробнее о заказе

RTF015P02TL RTF015P02TL MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3 997

Подробнее о заказе

NTR4502PT1G NTR4502PT1G SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 438956

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10901 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.68265$0.68265
5000$0.68265$3413.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top