Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC057N03LSGATMA1

BSC057N03LSGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC057N03LSGATMA1
LIXINC Part # BSC057N03LSGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC057N03LSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC057N03LSGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC057N03LSGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:17A (Ta), 71A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:5.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2400 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-5
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC057N03LSGATMA1 Документы

if BSC057N03LSGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMPH6250S-7 DMPH6250S-7 MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 857

Подробнее о заказе
SIE882DF-T1-GE3 SIE882DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK 3891

Подробнее о заказе
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK 4650

Подробнее о заказе
STD8NM50N STD8NM50N MOSFET N-CH 500V 5A DPAK 880

Подробнее о заказе
IPL65R210CFDAUMA2 IPL65R210CFDAUMA2 MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON 832

Подробнее о заказе
NTD4804N-1G NTD4804N-1G MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK 967

Подробнее о заказе
NVD5863NLT4G NVD5863NLT4G 13A, 60V, 0.011OHM, N-CHANNEL, 948

Подробнее о заказе
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 975

Подробнее о заказе
FQP17P10 FQP17P10 MOSFET P-CH 100V 16.5A TO220-3 2326

Подробнее о заказе
IRFR014PBF-BE3 IRFR014PBF-BE3 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK 4000

Подробнее о заказе
SFR9210TF SFR9210TF P-CHANNEL POWER MOSFET 14826

Подробнее о заказе
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN 927

Подробнее о заказе
HUF76633S3S HUF76633S3S MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK 910

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10992 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.84000$0.84
5000$0.35084$1754.2

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top