IPB60R199CPAATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB60R199CPAATMA1 | IPB60R199CPAATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB60R199CPAATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB60R199CPAATMA1
LIXINC Part #	IPB60R199CPAATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB60R199CPAATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB60R199CPAATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB60R199CPAATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	16A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	199mOhm @ 9.9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 1.1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	43 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1520 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	139W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STP17NF25	MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB	1188 Подробнее о заказе
IXTR20P50P	MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247	953 Подробнее о заказе
NTLJD3182FZTAG	MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN	33900 Подробнее о заказе
IXTH26P20P	MOSFET P-CH 200V 26A TO247	943 Подробнее о заказе
IPW65R190CFDFKSA1	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3	7194 Подробнее о заказе
PHK13N03LT,518	MOSFET N-CH 30V 13.8A 8SO	24637 Подробнее о заказе
CSD18510KTT	MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK	1380 Подробнее о заказе
FQPF19N20	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	13937 Подробнее о заказе
RHU003N03FRAT106	MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3	2447 Подробнее о заказе
DMP2035UVTQ-7	MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26	7541 Подробнее о заказе
SI3424CDV-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP	2253 Подробнее о заказе
PSMN5R6-100YSFX	MOSFET N-CH 100V 158A LFPAK56	983 Подробнее о заказе
BSH103,235	MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB	33621 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.47625	$2.47625
1000	$2.47625	$2476.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015