Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD70P04P409ATMA1

IPD70P04P409ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD70P04P409ATMA1
LIXINC Part # IPD70P04P409ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD70P04P409ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD70P04P409ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD70P04P409ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Not For New Designs
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:73A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:8.9mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 120µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:70 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4810 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):75W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-313
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD70P04P409ATMA1 Документы

if IPD70P04P409ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIR616DP-T1-GE3 SIR616DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8 3146

Подробнее о заказе
DMN3008SFGQ-13 DMN3008SFGQ-13 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333 3864

Подробнее о заказе
QS5U33TR QS5U33TR MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 998

Подробнее о заказе
STFW38N65M5 STFW38N65M5 MOSFET N-CH 650V 30A ISOWATT 989

Подробнее о заказе
IPB80N03S4L02ATMA1 IPB80N03S4L02ATMA1 MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3-2 16792

Подробнее о заказе
DMP4025SFG-13 DMP4025SFG-13 MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333 826

Подробнее о заказе
IPP45N06S4L08AKSA1 IPP45N06S4L08AKSA1 MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3 14353

Подробнее о заказе
STL16N65M5 STL16N65M5 MOSFET N-CH 650V 12A PWRFLAT HV 1000

Подробнее о заказе
DMT10H015LFG-13 DMT10H015LFG-13 MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 983

Подробнее о заказе
BSC050N03MSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 PFET, 16A I(D), 30V, 0.0063OHM, 25423

Подробнее о заказе
2N7002BKVL 2N7002BKVL MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB 8825

Подробнее о заказе
NVTFS5C460NLWFTAG NVTFS5C460NLWFTAG MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN 8488

Подробнее о заказе
STP20NM60FP STP20NM60FP MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP 1670

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10940 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.49000$1.49
2500$0.54666$1366.65
5000$0.51933$2596.65
12500$0.49981$6247.625

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top