Только для справки
| номер части | TPWR8004PL,L1Q |
| LIXINC Part # | TPWR8004PL,L1Q |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TPWR8004PL,L1Q След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TPWR8004PL,L1Q |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSIX-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 150A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 0.8mOhm @ 50A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.4V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 103 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 9600 pF @ 20 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1W (Ta), 170W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-DSOP Advance |
| упаковка / чехол: | 8-PowerVDFN |
| RTF025N03FRATL | MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 | 924 Подробнее о заказе |
|
| SI3458BDV-T1-E3 | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP | 5232 Подробнее о заказе |
|
| CSD16415Q5 | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON | 2642 Подробнее о заказе |
|
| AUIRF7737L2TR | MOSFET N-CH 40V 31A/156A DIRECT | 18816 Подробнее о заказе |
|
| IPI60R385CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 79147 Подробнее о заказе |
|
| IRFR430BTF | N-CHANNEL POWER MOSFET | 50768 Подробнее о заказе |
|
| SIR618DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8 | 922 Подробнее о заказе |
|
| BUK9E4R4-40B,127 | MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK | 1879 Подробнее о заказе |
|
| IXTP14N60X2 | MOSFET N-CH 600V 14A TO220 | 61929 Подробнее о заказе |
|
| DMN3051LDM-7 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT26 | 121901 Подробнее о заказе |
|
| FDMS8570S | 28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL, | 10838 Подробнее о заказе |
|
| DMN65D8LFB-7 | MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN | 2396 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R060C7XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | 1654 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11650 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.15000 | $3.15 |
| 5000 | $1.89208 | $9460.4 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.