Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD079N06L3GBTMA1

IPD079N06L3GBTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD079N06L3GBTMA1
LIXINC Part # IPD079N06L3GBTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD079N06L3GBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD079N06L3GBTMA1 Технические характеристики

номер части:IPD079N06L3GBTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:7.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 34µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4900 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):79W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD079N06L3GBTMA1 Документы

if IPD079N06L3GBTMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

MCPF05N80-BP MCPF05N80-BP MOSFET N-CH 800V 5A TO220F 1211

Подробнее о заказе
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 40V 10A DPAK 835

Подробнее о заказе
IPD65R600C6BTMA1 IPD65R600C6BTMA1 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET 3767

Подробнее о заказе
IRFB11N50APBF-BE3 IRFB11N50APBF-BE3 MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB 1814

Подробнее о заказе
IRF7490TRPBF IRF7490TRPBF MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO 1388

Подробнее о заказе
FDMS8050 FDMS8050 MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN 269296800

Подробнее о заказе
SCT3160KW7TL SCT3160KW7TL TRANS SJT N-CH 1200V 17A TO263-7 1808

Подробнее о заказе
SPP80N06S-08 SPP80N06S-08 N-CHANNEL POWER MOSFET 2821

Подробнее о заказе
BSC120N03LSG BSC120N03LSG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 3077

Подробнее о заказе
FDMC5614P FDMC5614P MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP 863

Подробнее о заказе
AUIRFS8408-7TRL AUIRFS8408-7TRL MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 1024

Подробнее о заказе
VN0606L-G VN0606L-G MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 1649

Подробнее о заказе
NP36N055HLE-AY NP36N055HLE-AY N-CHANNEL POWER MOSFET 1842

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10950 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.15000$1.15
2500$0.50916$1272.9
5000$0.48370$2418.5
12500$0.46552$5819

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top