BSS192PH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSS192PH6327XTSA1 | BSS192PH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSS192PH6327XTSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSS192PH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSS192PH6327XTSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSS192PH6327XTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSS192PH6327XTSA1 Технические характеристики

номер части:	BSS192PH6327XTSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	SIPMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	250 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	190mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.8V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	12Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 130µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6.1 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	104 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-SOT89
упаковка / чехол:	TO-243AA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.20136	$0.20136
1000	$0.20136	$201.36

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015