Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDB2570

FDB2570
Увеличить

Только для справки

номер части FDB2570
LIXINC Part # FDB2570
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDB2570 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB2570 Технические характеристики

номер части:FDB2570
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):150 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:22A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:80mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:56 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.911 pF @ 75 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):93W (Tc)
Рабочая Температура:-65°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:TO-263AB
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB2570 Документы

if FDB2570 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

CPC3960ZTR CPC3960ZTR MOSFET N-CH 600V SOT223 964

Подробнее о заказе
APT6010LFLLG APT6010LFLLG MOSFET N-CH 600V 54A TO264 916

Подробнее о заказе
NTMFS4H02NT3G NTMFS4H02NT3G MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN 829

Подробнее о заказе
DMG1012TQ-7 DMG1012TQ-7 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 273998

Подробнее о заказе
DMP58D0LFB-7 DMP58D0LFB-7 MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN 2147484639

Подробнее о заказе
IRFZ44ZLPBF IRFZ44ZLPBF MOSFET N-CH 55V 51A TO262 2011

Подробнее о заказе
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 53536

Подробнее о заказе
SI4368DY-T1-GE3 SI4368DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 17A 8SO 900

Подробнее о заказе
IXTX90N25L2 IXTX90N25L2 MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247-3 3233

Подробнее о заказе
NP88N055MHE-S18-AY NP88N055MHE-S18-AY N-CHANNEL POWER MOSFET 5611

Подробнее о заказе
NTMS5838NLR2G NTMS5838NLR2G MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC 41870

Подробнее о заказе
RQ3C150BCTB RQ3C150BCTB MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT 6401

Подробнее о заказе
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 MOSFET N-CH 200V 19A TO252 1688

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15519 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.44000$1.44

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top