Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IRFB3207ZGPBF

IRFB3207ZGPBF
Увеличить

Только для справки

номер части IRFB3207ZGPBF
LIXINC Part # IRFB3207ZGPBF
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IRFB3207ZGPBF След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRFB3207ZGPBF Технические характеристики

номер части:IRFB3207ZGPBF
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:HEXFET®
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):75 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:4.1mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6920 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):300W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:TO-220AB
упаковка / чехол:TO-220-3

IRFB3207ZGPBF Документы

if IRFB3207ZGPBF PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

2SK4085LS-1E 2SK4085LS-1E MOSFET N-CH 500V 11A TO220F-3FS 137631

Подробнее о заказе
RM40N40LD RM40N40LD MOSFET N-CHANNEL 40V 42A TO252-2 850

Подробнее о заказе
SI7104DN-T1-GE3 SI7104DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 842

Подробнее о заказе
SI7611DN-T1-GE3 SI7611DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8 6211

Подробнее о заказе
STU3LN80K5 STU3LN80K5 MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK 3889

Подробнее о заказе
R6030ENZ1C9 R6030ENZ1C9 MOSFET N-CH 600V 30A TO247 1055

Подробнее о заказе
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5 6646

Подробнее о заказе
FDD8N50NZTM FDD8N50NZTM MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK 8319

Подробнее о заказе
BUK6507-75C,127 BUK6507-75C,127 MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB 813

Подробнее о заказе
STW32N65M5 STW32N65M5 MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3 855

Подробнее о заказе
TPH3202LS TPH3202LS GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN 939

Подробнее о заказе
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 19464

Подробнее о заказе
2SK1461 2SK1461 N-CHANNEL POWER MOSFET 1341

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10800 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.28000$1.28

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top