BSO200P03SHXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSO200P03SHXUMA1 | BSO200P03SHXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSO200P03SHXUMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSO200P03SHXUMA1
LIXINC Part #	BSO200P03SHXUMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSO200P03SHXUMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jun 02 - Jun 06 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSO200P03SHXUMA1 Технические характеристики

номер части:	BSO200P03SHXUMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7.4A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 9.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	54 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±25V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2330 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.56W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-DSO-8
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.53060	$0.5306
2500	$0.53060	$1326.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015