TPH3205WSBQA | Transphorm TPH3205WSBQA | TPH3205WSBQA Inventory, Best Pricing

TPH3205WSBQA

Увеличить

Только для справки

номер части	TPH3205WSBQA
LIXINC Part #	TPH3205WSBQA
Производитель	Transphorm
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TPH3205WSBQA След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TPH3205WSBQA Технические характеристики

номер части:	TPH3205WSBQA
Бренд:	Transphorm
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Transphorm
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tube
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	35A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	62mOhm @ 22A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.6V @ 700µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 8 V
ВГС (макс.):	±18V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2200 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-247-3
упаковка / чехол:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015