Только для справки
| номер части | FDB14AN06LA0 |
| LIXINC Part # | FDB14AN06LA0 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDB14AN06LA0 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDB14AN06LA0 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 10A (Ta), 67A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 11.6mOhm @ 67A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 5 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2.9 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 125W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-263AB |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| IXTQ470P2 | MOSFET N-CH 500V 42A TO3P | 1396 Подробнее о заказе |
|
| FDD4685 | MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK | 5879 Подробнее о заказе |
|
| STD5NK50ZT4 | MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK | 1441 Подробнее о заказе |
|
| DMT6016LFDF-7 | MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN | 821 Подробнее о заказе |
|
| BSS138LT7G | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 | 885 Подробнее о заказе |
|
| STD110N02RT4G | SINGLE N-CHANNEL 24V, 110A | 3308 Подробнее о заказе |
|
| IPN50R950CEATMA1 | MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 | 2792 Подробнее о заказе |
|
| DMN3024LSS-13 | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | 386310959 Подробнее о заказе |
|
| AON6411 | MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN | 12171 Подробнее о заказе |
|
| FQU5P20TU | MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK | 5871 Подробнее о заказе |
|
| DMTH6004LPSQ-13 | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | 3469 Подробнее о заказе |
|
| NVMS5P02R2G | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC | 224698497 Подробнее о заказе |
|
| DMN4010LFG-13 | MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 | 3932 Подробнее о заказе |
| В наличии | 15830 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.07000 | $1.07 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.