Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB65R660CFDAATMA1

IPB65R660CFDAATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB65R660CFDAATMA1
LIXINC Part # IPB65R660CFDAATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB65R660CFDAATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB65R660CFDAATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB65R660CFDAATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:660mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:543 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):62.5W (Tc)
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB65R660CFDAATMA1 Документы

if IPB65R660CFDAATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

AUIRF5210S AUIRF5210S MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK 803

Подробнее о заказе
IXTA4N80P-TRL IXTA4N80P-TRL MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263 992

Подробнее о заказе
NDD05N50Z-1G NDD05N50Z-1G MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK 651298

Подробнее о заказе
FDD86369 FDD86369 MOSFET N-CH 80V 90A DPAK 5431

Подробнее о заказе
PH3830L,115 PH3830L,115 MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK56 845

Подробнее о заказе
SIA813DJ-T1-GE3 SIA813DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6 985

Подробнее о заказе
DMN6040SFDEQ-13 DMN6040SFDEQ-13 MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN 909

Подробнее о заказе
IPP120N08S404AKSA1 IPP120N08S404AKSA1 MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 948

Подробнее о заказе
IRFR010PBF-BE3 IRFR010PBF-BE3 MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK 3979

Подробнее о заказе
STU10NM60N STU10NM60N MOSFET N-CH 600V 10A IPAK 3909

Подробнее о заказе
IXTP2N100P IXTP2N100P MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB 934

Подробнее о заказе
RQ3L090GNTB RQ3L090GNTB MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT 907

Подробнее о заказе
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 47509

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10965 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.27000$2.27
1000$1.17937$1179.37

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top