Только для справки
| номер части | R6002ENDTL |
| LIXINC Part # | R6002ENDTL |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | R6002ENDTL След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | R6002ENDTL |
| Бренд: | ROHM Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Not For New Designs |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 1.7A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3.4Ohm @ 500mA, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 1mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 6.5 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 65 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 20W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | CPT3 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| STW70N65DM6-4 | MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4 | 882 Подробнее о заказе |
|
| FCH043N60 | MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3 | 1337 Подробнее о заказе |
|
| IPD096N08N3GBTMA1 | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 | 941 Подробнее о заказе |
|
| AOW25S65 | MOSFET N-CH 650V 25A TO262 | 852 Подробнее о заказе |
|
| FDB082N15A | MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK | 1574 Подробнее о заказе |
|
| HUFA75339P3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 | 3378 Подробнее о заказе |
|
| APT20M11JVR | MOSFET N-CH 200V 175A ISOTOP | 848 Подробнее о заказе |
|
| SISH536DN-T1-GE3 | N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE | 893 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C404NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN | 920 Подробнее о заказе |
|
| BSC010NE2LSATMA1 | MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON | 11384 Подробнее о заказе |
|
| SIR638DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8 | 3480 Подробнее о заказе |
|
| AOD4126 | MOSFET N-CH 100V 7.5A/43A TO252 | 897 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS6H848NT1G | MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN | 11499 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10913 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.24150 | $0.2415 |
| 2500 | $0.23345 | $583.625 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.