NVMFD6H852NLWFT1G

NVMFD6H852NLWFT1G
Увеличить

Только для справки

номер части NVMFD6H852NLWFT1G
LIXINC Part # NVMFD6H852NLWFT1G
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NVMFD6H852NLWFT1G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFD6H852NLWFT1G Технические характеристики

номер части:NVMFD6H852NLWFT1G
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7A (Ta), 25A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:25.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 26µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:10 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:521 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.2W (Ta), 38W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQI19N20TU FQI19N20TU MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK 12379

Подробнее о заказе

NTHL050N65S3HF NTHL050N65S3HF MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3 1420

Подробнее о заказе

RFP50N06_NL RFP50N06_NL N-CHANNEL POWER MOSFET 801

Подробнее о заказе

BSC067N06LS3GATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON 2552

Подробнее о заказе

STFI24N60M2 STFI24N60M2 MOSFET N CH 600V 18A TO281 919

Подробнее о заказе

NDDL01N60Z-1G NDDL01N60Z-1G MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK 10828

Подробнее о заказе

SQM50020EL_GE3 SQM50020EL_GE3 MOSFET N-CH 60V 120A TO263 2434

Подробнее о заказе

FDS3512 FDS3512 MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC 10975

Подробнее о заказе

SIHB6N80E-GE3 SIHB6N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK 802

Подробнее о заказе

SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 MOSFET N-CH 80V 150A TO263 1595

Подробнее о заказе

SIS106DN-T1-GE3 SIS106DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK 5498

Подробнее о заказе

FDS2734 FDS2734 MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC 31740

Подробнее о заказе

RF1K4915696 RF1K4915696 N-CHANNEL POWER MOSFET 3376

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12370 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.24000$1.24

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top