Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC010N04LSIATMA1

BSC010N04LSIATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC010N04LSIATMA1
LIXINC Part # BSC010N04LSIATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC010N04LSIATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка May 18 - May 22 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC010N04LSIATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC010N04LSIATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:37A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.05mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:87 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6200 pF @ 20 V
Фет-функция:Schottky Diode (Body)
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 139W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8 FL
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC010N04LSIATMA1 Документы

if BSC010N04LSIATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXTH16N10D2 IXTH16N10D2 MOSFET N-CH 100V 16A TO247 320855

Подробнее о заказе
FQP19N20C FQP19N20C MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3 3666

Подробнее о заказе
RM6N100S4V RM6N100S4V MOSFET N-CH 100V 6A SOT223-3 885

Подробнее о заказе
CSD17579Q5A CSD17579Q5A MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON 1765

Подробнее о заказе
PMV240SPR PMV240SPR MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB 1148

Подробнее о заказе
IAUC100N08S5N031ATMA1 IAUC100N08S5N031ATMA1 MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34 854

Подробнее о заказе
IPB240N03S4LR8ATMA1 IPB240N03S4LR8ATMA1 MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7 929

Подробнее о заказе
BUK9212-55B,118 BUK9212-55B,118 NOW NEXPERIA BUK9212-55B - 75A, 2614

Подробнее о заказе
STP80NF55-06 STP80NF55-06 MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB 1904

Подробнее о заказе
BUK7E4R6-60E,127 BUK7E4R6-60E,127 MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK 1470

Подробнее о заказе
IPB407N30NATMA1 IPB407N30NATMA1 MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK 1747

Подробнее о заказе
AUIRFR6215 AUIRFR6215 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK 3578

Подробнее о заказе
BSZ010NE2LS5ATMA1 BSZ010NE2LS5ATMA1 MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON 4901

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10891 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.38000$3.38
5000$1.85157$9257.85

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top