Только для справки
| номер части | FDB3632 |
| LIXINC Part # | FDB3632 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDB3632 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDB3632 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 12A (Ta), 80A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 9mOhm @ 80A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 110 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 6000 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 310W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| NTB10N40 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 908 Подробнее о заказе |
|
| IXTH130N15X4 | MOSFET N-CH 150V 130A TO247 | 862190 Подробнее о заказе |
|
| PSMN6R4-30MLDX | MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33 | 2120 Подробнее о заказе |
|
| TK14A65W5,S5X | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS | 904 Подробнее о заказе |
|
| RSS065N06FRATB | MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP | 970 Подробнее о заказе |
|
| STD2N62K3 | MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK | 13478 Подробнее о заказе |
|
| STI55NF03L | MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK | 816 Подробнее о заказе |
|
| IPD60R180C7ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3 | 3276 Подробнее о заказе |
|
| SIHD12N50E-GE3 | MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK | 3020 Подробнее о заказе |
|
| FDB8444 | MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB | 6302574 Подробнее о заказе |
|
| UPA1725G-E1-A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3318 Подробнее о заказе |
|
| PMPB40SNA115 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 59923 Подробнее о заказе |
|
| IRFR110PBF-BE3 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK | 3884 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11493 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.21000 | $3.21 |
| 800 | $2.20451 | $1763.608 |
| 1600 | $2.06514 | $3304.224 |
| 2400 | $1.96759 | $4722.216 |
| 5600 | $1.89791 | $10628.296 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.