SPW35N60CFDFKSA1

SPW35N60CFDFKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части SPW35N60CFDFKSA1
LIXINC Part # SPW35N60CFDFKSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 34.1A TO247-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SPW35N60CFDFKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPW35N60CFDFKSA1 Технические характеристики

номер части:SPW35N60CFDFKSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tube
статус детали:Not For New Designs
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:34.1A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:118mOhm @ 21.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 1.9mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:212 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5060 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):313W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO247-3
упаковка / чехол:TO-247-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF IRL3103 - HEXFET POWER MOSFET 4016

Подробнее о заказе

IPB80P04P405ATMA2 IPB80P04P405ATMA2 MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3 829

Подробнее о заказе

STP24N65M2 STP24N65M2 MOSFET N-CH 650V 16A TO220 1867

Подробнее о заказе

FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F 2295

Подробнее о заказе

SI3430DV-T1-GE3 SI3430DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP 2744

Подробнее о заказе

DMN3033LSNQ-7 DMN3033LSNQ-7 MOSFET N-CH 30V 6A SC59 15948

Подробнее о заказе

APT84F50B2 APT84F50B2 MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX 992

Подробнее о заказе

FDB3632-F085 FDB3632-F085 MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB 64728902

Подробнее о заказе

IPD70R950CEAUMA1 IPD70R950CEAUMA1 MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3 4810

Подробнее о заказе

NTD5413NT4G NTD5413NT4G MOSFET N-CH 60V 30A DPAK 3163

Подробнее о заказе

FDP3682 FDP3682 MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3 2258

Подробнее о заказе

SIHD9N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 9A DPAK 3964

Подробнее о заказе

PSMN7R6-60XSQ PSMN7R6-60XSQ MOSFET N-CH 60V 51.5A TO220F 1502

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11000 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$10.60000$10.6
240$9.54030$2289.672

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top