Только для справки
| номер части | SPB04N60S5ATMA1 |
| LIXINC Part # | SPB04N60S5ATMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO263-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SPB04N60S5ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SPB04N60S5ATMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 4.5A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 950mOhm @ 2.8A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5.5V @ 200µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 22.9 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 580 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 50W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO263-3-2 |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SQV120N06-4M7L_GE3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | 889 Подробнее о заказе |
|
| NTD70N03RT4 | MOSFET N-CH 25V 10A/32A DPAK | 37715 Подробнее о заказе |
|
| STW34N65M5 | MOSFET N-CH 650V 28A TO247 | 2877 Подробнее о заказе |
|
| AOB1404L | MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263 | 903 Подробнее о заказе |
|
| IRFU3707ZPBF | IRFU3707 - HEXFET N-CHANNEL | 821 Подробнее о заказе |
|
| IPI80N06S407AKSA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 835 Подробнее о заказе |
|
| SIS776DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 | 890 Подробнее о заказе |
|
| PMT200EN,115 | MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223 | 43838 Подробнее о заказе |
|
| SI2323DDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23 | 2703 Подробнее о заказе |
|
| RU1C001ZPTL | MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F | 906 Подробнее о заказе |
|
| IRF3205PBF | MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB | 932 Подробнее о заказе |
|
| IXFQ26N50P3 | MOSFET N-CH 500V 26A TO3P | 1576 Подробнее о заказе |
|
| FDD6770A | 24A, 25V, 0.004OHM, N-CHANNEL , | 5556 Подробнее о заказе |
| В наличии | 47832 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.68000 | $0.68 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.