IRF7665S2TRPBF | Rochester Electronics IRF7665S2TRPBF | IRF7665S2TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7665S2TRPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRF7665S2TRPBF
LIXINC Part #	IRF7665S2TRPBF
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET NCH 100V 4.1/14.4A DIRECT
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRF7665S2TRPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRF7665S2TRPBF Технические характеристики

номер части:	IRF7665S2TRPBF
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	62mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 25µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	13 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	515 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.4W (Ta), 30W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DirectFET™ Isometric SB
упаковка / чехол:	DirectFET™ Isometric SB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015