Только для справки
| номер части | BSC0702LSATMA1 |
| LIXINC Part # | BSC0702LSATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | BSC0702LSATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | BSC0702LSATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 100A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.3mOhm @ 50A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.3V @ 49µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 30 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4400 pF @ 30 V |
| Фет-функция: | Standard |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 83W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SuperSO8 |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
| NTD3055L104T4G | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | 957 Подробнее о заказе |
|
| TK12A45D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 450V 12A TO220SIS | 862 Подробнее о заказе |
|
| AOSS32338C | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 | 1856 Подробнее о заказе |
|
| IPL60R365P7AUMA1 | MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON | 6606 Подробнее о заказе |
|
| RJU002N06T106 | MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 | 24625 Подробнее о заказе |
|
| SPI16N50C3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1198 Подробнее о заказе |
|
| RM21N650TI | MOSFET N-CHANNEL 650V 21A TO220F | 863 Подробнее о заказе |
|
| IPS65R600E6AKMA1 | PFET, 650V, 0.6OHM, 1-ELEMENT, N | 956 Подробнее о заказе |
|
| DMT68M8LFV-7 | MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333 | 2931 Подробнее о заказе |
|
| BSC882N03LSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5907 Подробнее о заказе |
|
| IXFN100N20 | MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B | 859 Подробнее о заказе |
|
| FDS7088N3 | MOSFET N-CH 30V 21A 8SO | 5520 Подробнее о заказе |
|
| FCP190N65F | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 | 9692 Подробнее о заказе |
| В наличии | 13648 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.59000 | $1.59 |
| 5000 | $0.74371 | $3718.55 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.