IPD50N06S4L08ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPD50N06S4L08ATMA2 | IPD50N06S4L08ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD50N06S4L08ATMA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD50N06S4L08ATMA2
LIXINC Part #	IPD50N06S4L08ATMA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD50N06S4L08ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD50N06S4L08ATMA2 Технические характеристики

номер части:	IPD50N06S4L08ATMA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	7.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 35µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4780 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	71W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AON6512	MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN	822 Подробнее о заказе
IPA60R099C7XKSA1	MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP	2464 Подробнее о заказе
TSM340N06CH X0G	MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251	13224 Подробнее о заказе
TN0604N3-G-P005	MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3	855 Подробнее о заказе
AON6312	MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN	996 Подробнее о заказе
FQU2N60CTU	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	9141 Подробнее о заказе
FDS6690A	MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC	16249 Подробнее о заказе
NTBG020N120SC1	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK	1852 Подробнее о заказе
APT60M75L2LLG	MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX	862 Подробнее о заказе
IRFB18N50K	MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB	842 Подробнее о заказе
TK62N60W,S1VF	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247	951 Подробнее о заказе
IXTA08N50D2	MOSFET N-CH 500V 800MA TO263	1343840 Подробнее о заказе
APT10035JLL	MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP	903 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.14000	$1.14
2500	$0.42805	$1070.125

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015