IPN50R2K0CEATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN50R2K0CEATMA1 | IPN50R2K0CEATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN50R2K0CEATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPN50R2K0CEATMA1
LIXINC Part #	IPN50R2K0CEATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPN50R2K0CEATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPN50R2K0CEATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPN50R2K0CEATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ CE
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	500 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	13V
rds on (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 600mA, 13V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 50µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	124 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	5W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-SOT223
упаковка / чехол:	SOT-223-3

TP86R203NL,LQ	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP	2861 Подробнее о заказе
DMT3006LFVQ-13	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	927 Подробнее о заказе
NTMFS4923NET3G	MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN	15832 Подробнее о заказе
PSMN1R5-25MLHX	MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33	3661 Подробнее о заказе
SQJA02EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8	969 Подробнее о заказе
NTD4857N-1G	MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK	9248 Подробнее о заказе
FQA70N15	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	1224 Подробнее о заказе
BUK9614-55A,118	TRANSISTOR >30MHZ	6384 Подробнее о заказе
PMV50UPEVL	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	954 Подробнее о заказе
IPB80N08S406ATMA1	MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3-2	15367 Подробнее о заказе
AO4290A	MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC	818 Подробнее о заказе
BUZ100S-E3045A	N-CHANNEL POWER MOSFET	31458 Подробнее о заказе
IRFF221	N-CHANNEL POWER MOSFET	1823 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015