Только для справки
| номер части | IPD60R520CPATMA1 |
| LIXINC Part # | IPD60R520CPATMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPD60R520CPATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPD60R520CPATMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6.8A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 520mOhm @ 3.8A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 630 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 66W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| IPA65R280E6XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP | 1291 Подробнее о заказе |
|
| IRLZ14SPBF | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | 2514 Подробнее о заказе |
|
| BUK9M156-100EX | MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33 | 861 Подробнее о заказе |
|
| R6012FNX | MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM | 1535 Подробнее о заказе |
|
| IPW65R420CFDFKSA1 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3 | 895 Подробнее о заказе |
|
| FDB38N30U | MOSFET N CH 300V 38A D2PAK | 2837 Подробнее о заказе |
|
| FQD5N50CTM | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK | 10804 Подробнее о заказе |
|
| IXTX120P20T | MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3 | 1025 Подробнее о заказе |
|
| STB80NF55-08AG | MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK | 943 Подробнее о заказе |
|
| SI4126DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 39A 8SO | 9873 Подробнее о заказе |
|
| SI1469DH-T1-BE3 | MOSFET P-CH 20V 3.2A/2.7A SC70-6 | 3984 Подробнее о заказе |
|
| IXTA50N20P-TRL | MOSFET N-CH 200V 50A TO263 | 1000 Подробнее о заказе |
|
| SPD50P03L | MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5 | 3470 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10879 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.81328 | $0.81328 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.