Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB016N06L3GATMA1

IPB016N06L3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB016N06L3GATMA1
LIXINC Part # IPB016N06L3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB016N06L3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB016N06L3GATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB016N06L3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:180A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 196µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:166 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:28000 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):250W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-7
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IPB016N06L3GATMA1 Документы

if IPB016N06L3GATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SIHD186N60EF-GE3 SIHD186N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 19A DPAK 3482

Подробнее о заказе
SIHA180N60E-GE3 SIHA180N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 19A TO220 1900

Подробнее о заказе
DMP1055USW-7 DMP1055USW-7 MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363 800

Подробнее о заказе
IRL3803STRRPBF IRL3803STRRPBF MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK 800

Подробнее о заказе
SUD19P06-60-E3 SUD19P06-60-E3 MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 1636

Подробнее о заказе
IXTA2R4N120P IXTA2R4N120P MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263 907

Подробнее о заказе
CSD19505KTT CSD19505KTT MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK 2279

Подробнее о заказе
IRFR3707PBF IRFR3707PBF MOSFET N-CH 30V 61A DPAK 885

Подробнее о заказе
STD7N80K5 STD7N80K5 MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 3370

Подробнее о заказе
DMN3065LW-13 DMN3065LW-13 MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 62420

Подробнее о заказе
IPI076N15N5AKSA1 IPI076N15N5AKSA1 MV POWER MOS 1395

Подробнее о заказе
FQB6N40CTM FQB6N40CTM MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK 973

Подробнее о заказе
DMG9N65CT DMG9N65CT MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB 997

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10831 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.47000$3.47
1000$2.70296$2702.96
2000$2.56782$5135.64

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top