Только для справки
| номер части | IRF40R207 |
| LIXINC Part # | IRF40R207 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 56A TO252 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRF40R207 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRF40R207 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 56A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 5.1mOhm @ 55A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.9V @ 50µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 68 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2110 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 83W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-252, (D-Pak) |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| AOD2910E | MOSFET N-CH 100V 37A TO252 | 836 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN3B01FTC | MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 | 839 Подробнее о заказе |
|
| G3R75MT12J | SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7 | 1210 Подробнее о заказе |
|
| IRF740ASTRLPBF | MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK | 1103 Подробнее о заказе |
|
| SQ2310ES-T1_GE3 | MOSFET N-CH 20V 6A TO236 | 72327 Подробнее о заказе |
|
| SI7686DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 | 3917 Подробнее о заказе |
|
| IPI04N03LA | MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3 | 1745 Подробнее о заказе |
|
| IPB35N10S3L26ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | 881 Подробнее о заказе |
|
| TK200F04N1L,LXGQ | MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM | 2296 Подробнее о заказе |
|
| CSD16404Q5A | MOSFET N-CH 25V 21A/81A 8VSON | 3188 Подробнее о заказе |
|
| PSMN5R0-80BS,118 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | 883 Подробнее о заказе |
|
| SFU9224TU | P-CHANNEL POWER MOSFET | 274341 Подробнее о заказе |
|
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON | 7787 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10944 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.85000 | $0.85 |
| 2000 | $0.40892 | $817.84 |
| 6000 | $0.38372 | $2302.32 |
| 10000 | $0.37112 | $3711.2 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.