Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPN80R2K4P7ATMA1

IPN80R2K4P7ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPN80R2K4P7ATMA1
LIXINC Part # IPN80R2K4P7ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPN80R2K4P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPN80R2K4P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPN80R2K4P7ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2.4Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 40µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:150 pF @ 500 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):6.3W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT223
упаковка / чехол:TO-261-3

IPN80R2K4P7ATMA1 Документы

if IPN80R2K4P7ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

ZVNL110ASTZ ZVNL110ASTZ MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE 146032839

Подробнее о заказе
SPW21N50C3FKSA1 SPW21N50C3FKSA1 MOSFET N-CH 560V 21A TO247-3 876

Подробнее о заказе
AONR32320C AONR32320C MOSFET N-CH 30V 9.5A/12A 8DFN 2003

Подробнее о заказе
BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6433XTMA1 MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 12972

Подробнее о заказе
CSD13302WT CSD13302WT MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA 2672

Подробнее о заказе
FQB6N90TM FQB6N90TM N-CHANNEL POWER MOSFET 2207

Подробнее о заказе
BSP135L6433 BSP135L6433 N-CHANNEL POWER MOSFET 51863

Подробнее о заказе
NTTFS4H05NTWG NTTFS4H05NTWG MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN 220508

Подробнее о заказе
PSMN1R6-30MLHX PSMN1R6-30MLHX MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33 4997

Подробнее о заказе
AOWF10N60 AOWF10N60 MOSFET N-CH 600V 10A TO262F 853

Подробнее о заказе
FCD600N60Z FCD600N60Z MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK 3572

Подробнее о заказе
IPB65R225C7ATMA1 IPB65R225C7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK 179890

Подробнее о заказе
CPH6341-TL-E CPH6341-TL-E MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH 21072

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10211 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.85000$0.85
3000$0.38156$1144.68
6000$0.35805$2148.3
15000$0.34629$5194.35
30000$0.33987$10196.1

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top