TSM180N03PQ33 RGG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM180N03PQ33 RGG | TSM180N03PQ33 RGG Inventory, Best Pricing

TSM180N03PQ33 RGG

Увеличить

Только для справки

номер части	TSM180N03PQ33 RGG
LIXINC Part #	TSM180N03PQ33 RGG
Производитель	TSC (Taiwan Semiconductor)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TSM180N03PQ33 RGG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TSM180N03PQ33 RGG Технические характеристики

номер части:	TSM180N03PQ33 RGG
Бренд:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	TSC (Taiwan Semiconductor)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	25A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	18mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	4.1 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	345 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	21W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-PDFN (3x3)
упаковка / чехол:	8-PowerWDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015