IPD80R360P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD80R360P7ATMA1 | IPD80R360P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD80R360P7ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD80R360P7ATMA1
LIXINC Part #	IPD80R360P7ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD80R360P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD80R360P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD80R360P7ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ P7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	13A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 280µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	930 pF @ 500 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	84W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PSMN013-60YLX	MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56	806 Подробнее о заказе
FQA34N20L	MOSFET N-CH 200V 34A TO3P	1544 Подробнее о заказе
FQT2P25TF	MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4	8910 Подробнее о заказе
2SJ493-AZ	P-CHANNEL POWER MOSFET	1376 Подробнее о заказе
STD70N6F3	MOSFET N-CH 60V 70A DPAK	879 Подробнее о заказе
R6030JNZ4C13	MOSFET N-CH 600V 30A TO247G	1400 Подробнее о заказе
IRFD214PBF	MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP	822 Подробнее о заказе
IPD90N10S4L06ATMA1	MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3	13865 Подробнее о заказе
AOT4S60L	MOSFET N-CH 600V 4A TO220	845 Подробнее о заказе
FQP2NA90	MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3	2598 Подробнее о заказе
SQJQ402E-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8	815 Подробнее о заказе
TK210V65Z,LQ	MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN	5908 Подробнее о заказе
BSP320SL6433	SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	8891 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015