Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD048N06L3GBTMA1

IPD048N06L3GBTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD048N06L3GBTMA1
LIXINC Part # IPD048N06L3GBTMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD048N06L3GBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD048N06L3GBTMA1 Технические характеристики

номер части:IPD048N06L3GBTMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 58µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:8400 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):115W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD048N06L3GBTMA1 Документы

if IPD048N06L3GBTMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRL640A IRL640A MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3 32354

Подробнее о заказе
AUIRLR3410TR AUIRLR3410TR AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE 54817

Подробнее о заказе
IXFT180N20X3HV IXFT180N20X3HV MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV 75231

Подробнее о заказе
SIHB24N65E-E3 SIHB24N65E-E3 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK 980

Подробнее о заказе
FDD4243 FDD4243 MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK 853

Подробнее о заказе
PXN6R7-30QLJ PXN6R7-30QLJ PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 945

Подробнее о заказе
CPH3439-TL-E CPH3439-TL-E N-CHANNEL SILICON MOSFET 3943

Подробнее о заказе
XK1R9F10QB,LXGQ XK1R9F10QB,LXGQ MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM 2405

Подробнее о заказе
DMT6013LFDF-13 DMT6013LFDF-13 MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN 887

Подробнее о заказе
SPP80N03S2L04AKSA1 SPP80N03S2L04AKSA1 MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3-1 1718

Подробнее о заказе
SPA17N80C3XKSA1 SPA17N80C3XKSA1 MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 5963

Подробнее о заказе
IRLU024PBF IRLU024PBF MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA 2476

Подробнее о заказе
STW3N150 STW3N150 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3 898

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10922 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.34000$1.34
2500$0.59202$1480.05
5000$0.56242$2812.1
12500$0.54127$6765.875

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top