SSM6J512NU,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6J512NU,LF

SSM6J512NU,LF

Увеличить

Только для справки

номер части	SSM6J512NU,LF
LIXINC Part #	SSM6J512NU,LF
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SSM6J512NU,LF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SSM6J512NU,LF Технические характеристики

номер части:	SSM6J512NU,LF
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	U-MOSVII
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	12 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.8V, 8V
rds on (max) @ id, vgs:	16.2mOhm @ 4A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	19.5 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1400 pF @ 6 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.25W (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-UDFNB (2x2)
упаковка / чехол:	6-WDFN Exposed Pad

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015